웨이비스 공모주,청약일정,주관사,공모가격,하는일은?

 

 

웨이비스 공모주

 

 

 

 

◆웨이비스 청약일정

 

청약일정

 

청약일
① 기관투자자 청약일 : 2024년 10월 17일 ~ 18일 (2일간)
② 일반청약자 청약일 : 2024년 10월 17일 ~ 18일 (2일간)
기관투자자 및 일반청약자의 청약은 2024년 10월 17일부터 2024년 10월 18일까지 이틀간 실시됨에 유의하시기 바라며, 상기 청약일 및 납입일 등 일정은 효력발생일의 변경 및 회사 상황, 주식시장 상황 등에 따라 변경될 수 있습니다. 한편, 금번 공모의 경우 일반청약자가 각 청약사무취급처에 개설된 계좌에 동시에 청약하는 중복청약 및 하나의 청약사무취급처에 개설된 복수의 계좌를 이용하는 이중청약을 할 수 없으며, 일반청약자가 중복청약을 하는 경우 청약 수량과 관계없이 가장 먼저 접수된 청약만을 유효한 것으로 인정하며, 이중청약을 하는 경우에는 그 전부를 청약하지 않은 것으로 간주하오니, 이 점 유의하시기 바랍니다. 중복청약의 적격청약 기준은 아래와 같습니다.

 

 

 

 

 

◆웨이비스 청약대상별 공모주식수

 

 

청약대상별 주식수

 

주당 공모가액 및 모집(매출)총액은 대표주관회사와 발행회사가 협의하여 결정한 확정공모가액 15,000원 기준입니다

 

모집총액은 대표주관회사 및 발행회사가 협의하여 결정한 확정공모가액 15,000원 기준입니다.

 

 

◆웨이비스 주관사 의무취득 물량

 

주관사 의무물량

 

주당 취득가액 및 취득총액은 대표주관회사와 발행회사가 협의하여 결정한 확정공모가액 15,000원 기준입니다. 

 

 

 

 

 

◆웨이비스 공모가격

 

공모가격

 

상기 주당 확정공모가액의 범위는 ㈜웨이비스의 실질적인 가치를 의미하는 절대적 평가액이 아닙니다. 또한 향후 발생할 수 있는 경기변동에 따른 위험, 영업 및 재무에 대한 위험, 산업에 대한 위험, 주식시장 상황의 변동가능성 등이 반영되지 않았음을 투자자께서는 유의하시기 바랍니다.

 

 

 

◆웨이비스 수요예측

 

수요예측

 

인수인(해외현지법인 및 해외지점을 포함한다)과 거래관계가 있거나 인수인이 실재성을 인지하고 있는 외국기관투자자입니다.

 

 

 

 

◆웨이비스 의무확약

 

의무확약

 

상기 수요예측 결과 및 시장상황 등을 고려하여 발행회사인 (주)웨이비스와 대표주관회사인 대신증권(주)가 협의하여 1주당 확정공모가액을 15,000원으로 결정하였습니다.

 

1주당 확정공모가액인 15,000원 이상 가격 제시자 및 가격 미제시자(관계인수인)에게 기관청약자 물량을 배정하였습니다.

 

 

◆웨이비스 사업내용

 

당사가 보유한 핵심 기술은 GaN RF 반도체 칩(Bare Die), 패키지트랜지스터(Packaged Transistor) 및 모듈(Module) 등 그 응용제품의 제조 기술로서, 당사는 국내 최초·유일 국산화에 성공한 GaN RF 반도체 칩 양산 기술을 바탕으로 칩-패키지트랜지스터-모듈의 RF 전력증폭기술의 전체 가치사슬을 수직내재화한 국내 유일의 GaN RF 반도체 전문기업입니다. 당사는 분할설립 전인 2011년부터 국내 첨단 무기체계용 GaN PA(Power Amplifier) 기술개발 프로젝트에 참여하며 동 분야의 기술력을 축적해 왔으며, 2015년 국방과학연구소로부터 GaN RF 전력증폭소자 공정개발 사업을 수주하며 본격적으로 GaN RF 반도체 개발 및 사업화를 전개해 왔습니다.

최근 첨단무기체계 뿐만 안티드론, 이동통신 인프라, 위성 및 우주항공 등 첨단산업의 고도화 및 급성장에 따라, 기존 기술에 비해 고주파, 광대역, 고효율의 기술적 특성을 요구하여 첨단무기체계 시장에서 주로 사용되던 GaN RF 반도체가 다양한 첨단산업의 표준 솔루션으로 채택되어 그 수요가 급격히 증가하고 있습니다. GaN RF 반도체 기술이 상용화 되기 전에는 수십년 간 진공관 기반의 TWTA RF 전력증폭기와 실리콘 기반의 LDMOS RF 전력증폭기를 사용해왔습니다. 그러나 GaN RF 반도체가 상용화 됨과 동시에 최근 세부시장을 막론하고 주요 수요 시스템의 성능 고도화 및 요구 성능 증가 추세가 맞물리면서, TWTA RF 전력증폭기가 가지고 있는 단점(다기능 구현 어려움, 소형화의 어려움, 내구성이 취약함, 긴 제작 납기, 유지보수가 힘듦)과 Si LDMOS RF 전력증폭기가 가지고 있는 단점(3GHz 이상 동작 주파수에서의 성능 열화 및 낮은 전력효율)을 해결해줄 수 있는 GaN 기반의 RF 전력증폭기가 legacy 기술들을 완벽히 대체해 나가고 있습니다.

 

이렇듯 첨단무기체계 뿐만 아니라 안티드론, 이동통신 인프라, 위성 및 우주항공 등 다양한 첨단산업에서도 GaN RF 반도체 기술이 대체 불가능한 핵심 기술로 그 기술적 중요성이 높아지고 있는 상황임에도 불구하고, 우리나라뿐만 아니라 세계 대부분의 국가가 GaN 칩 공급을 미국과 일본의 소수 업체에 100% 의존하고 있으며, 미국과 일본 등 동 기술을 독식하고 있는 주요 국가에서 GaN RF 반도체를 전략핵심부품으로 분류하여 엄격한 수출통제(Export License) 정책을 고수하고 있어 전 세계적인 수급불균형이 매우 심각한 상황입니다. 또한 최근 불거진 미·중 무역분쟁이나 일본 화이트리스트 사태와 같이 정치 외교적 상황에 의해 동 기술을 적용한 제품의 수급 불확실성이 더욱 커지고 있어, 민수 군수를 막론하고 국가적 산업 자립화를 위해서라도 국산화가 반드시 필요한 매우 중요한 기술입니다.

당사는 과거 국내 첨단 무기체계 레이더 프로젝트에 참여할 때 우리나라 무기체계 개발에 필수적인 GaN RF 반도체를 우방국인 미국으로부터 수입하는 데 1년 이상이 소요되는 경험을 하였습니다. 이를 통해 GaN RF 반도체 수급에 관한 국가적 문제를 일찍이 경험하면서 동 기술의 국산화에 과감히 도전하였으며, 2015년 국방과학연구소(이하 ADD)의 선도형 핵심기술(GaN RF 전력증폭 소자 공정 개발) 사업 수주를 통해 0.4um 150W급 전력증폭 소자 공정기술 개발을 성공적으로 완료하였습니다. 2023년 현재 당사는 GaN RF 반도체 칩-패키지트랜지스터-모듈 전 제품 라인업의 개발 및 제조역량을 내재화한 국내 유일의 기업으로 산업 내 핵심 반도체 부품에 대한 수급 불균형을 해소하는 한편 국가 핵심 산업의 자립화에 기여한다는 사명감을 가지고 기술 확대에 박차를 가하고 있습니다.

이에, 국내 최초·유일 국산화에 성공한 당사는 글로벌 수급난을 해소할 수 있는 대안으로 크게 주목받고있습니다. 당사는 국내 최대 첨단 무기체계 제조사의 Tier-1 공급사로서 다수의 국산화, 개발 및 양산 프로젝트에 성공적으로 참여하여 해외 경쟁 기업 동등 이상의 성능과 신뢰성을 검증받았습니다.  이러한 우수한 개발 및 제조 역량을 바탕으로 해외 첨단무기체계, 안티드론, 이동통신 인프라, 위성 및 우주항공 시장에서 성공적으로 국내외 우량 고객사向 매출을 확보하는데 성공하였습니다.

본 사업의 개요에 요약된 내용의 세부사항 및 포함되지 않은 내용 등은 'II. 사업의 내용'의 '2. 주요 제품 및 서비스'부터 '7. 기타 참고사항'까지의 항목에 상세히 기재되어 있으며 이를 참고하여 주시기 바랍니다.